Cómo evitar disparos intempestivos en dispositivos diferenciales residuales (DDR)

·         Desequilibrio de corrientes capacitivas

Las cargas y las canalizaciones monofásicas implican naturalmente desequilibrios de corriente capacitivas que pueden provocar el funcionamiento de los dispositivos diferenciales de alta sensibilidad (IΔn ≤ 30 mA).

Este problema se soluciona subdividiendo los circuitos dispuestos aguas abajo de un DDR de alta sensibilidad con objeto de reducir el desequilibrio y así evitar los disparos intempestivos.

Se tendrá en cuenta que el desequilibrio de corrientes capacitivas de los circuitos dispuestos aguas abajo de un DDR no deben sobrepasar la mitad de la corriente de regulación del DDR.

Por ejemplo:

Figura 1: Desequilibrio de corrientes capacitivas

·         Disparos por simpatía

En un defecto de aislamiento la corriente capacitiva se reparte en las salidas sanas pudiendo provocar el disparo de los dispositivos diferenciales instalados en estas salidas.

La solución consiste en limitar la longitud de las canalizaciones y el número de receptores dispuestos aguas debajo de un dispositivo diferencial de alta sensibilidad.

Se tendrá en cuenta que la corriente capacitiva de una salida no debe sobrepasar una cuarta parte del nivel de regulación del DDR que asegura su protección.

Esta regla permite tener en cuenta las corrientes capacitivas transitorias que se producen en la puesta en tensión de los receptores y durante algún defecto de aislamiento, esta regla permite igualmente resolver el problema de los desequilibrios de corrientes capacitivas.

Los valores de las corrientes capacitivas que se cierran por una salida sana pueden ser evaluadas por medio de las expresiones siguientes:

·         Esquema IT trifásico sin neutro                 I_C = 3 CwV

·         Esquema IT trifásico + neutro                   I_C = 4 CwV

·         Esquema IT monofásico                           I_C = 2,5 CwV máx.

·         Esquema TT trifásico sin neutro                I_C = 3 CwV

·         Esquema TT trifásico + neutro                  I_C = 4 CwV máx.

·         Esquema TT monofásico                          I_C = CwV máx.

·         Esquema TN trifásico sin neutro               I_C ≈ CwV

·         Esquema TN trifásico + neutro                 I_C = CwV

·         Esquema TN monofásico                         I_C = CwV

Figura 2: Red trifásica – disparo por simpatía

Figura 3: Red monofásica – disparo por simpatía

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